ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ БОНЧ
Вариант №27
Задача №1.10.
Дано:
Время жизни неравновесных носителей в полупроводнике, находящемся под внешнем воздействием, τ = 10-7, с.
Полупроводник: Si;
Масштабный коэффициент: K = 5.
Найти: Интервал времени tK после выключения внешнего воздействия, в течение которого концентрация избыточных электронов уменьшится в K раз.
Задача №2.1.
Дано:
Концентрация атомов донорной и акцепторной примесей в областях полупроводника, образующих резкий p-n-переход, равны Nд = 1016 см-3 = 1019 м-3 и NА = 1015 см-3 = 1018 м-3, Т = 300 К.
Полупроводник: Si;
Диффузионная длина электронов: Ln = 0.015 см;
Диффузионная длина дырок: Lp = 0.01 см;
Площадь перехода S = 0.004 см2.
Найти: Контактную разность потенциалов φко и ширину перехода Δ0 в равновесном состоянии (u = 0), а также отношение ширины участков перехода, лежащих в n- и p-областях Δn/Δp.
Задача №3.3.
Дано:
Биполярный транзистор n-p-n структуры, включенный по схеме с ОЭ, имеет параметры: сквозной тепловой ток I0 = 10-13 А, коэффициент передачи тока базы β = 90. Заданы напряжение питания Ек = 9 В и нагрузочное сопротивление Rк = 1 кОм.
Найти: Рассчитать и построить на графике передаточную характеристику транзистора Uкэ = f(Uбэ). Расчеты выполнить в диапазоне изменения напряжения от 0 до Ек. В рабочей точке, соответствующей Uкэ/2, рассчитать коэффициенты усиления по току KI и по напряжению KU.